一、去胶工艺是半导体制造过程中的重要环节之一，主要分为湿法与干法两类
根据观研报告网发布的《中国半导体去胶设备行业发展深度分析与投资前景预测报告（2025-2032年）》显示，在半导体制造工艺中，去胶工艺是不可或缺的一环，是光刻工艺中的最后一步，其直接关系到芯片成品的质量与性能。在光刻工艺中，去胶设备主要用于曝光后将光刻胶从晶圆上移除，以此来保证晶圆顺利进入下一步制造步骤。
去胶工艺可分为湿法和干法两类。其中湿法去胶工艺使用溶剂对光刻胶等进行溶解，不适合用于AI、Cu等制程的去胶；干法去胶工艺可视为等离子刻蚀技术的延伸，主要通过等离子体和薄膜材料的化学反应完成，适用于绝大部分的去胶工艺，是当前的主流工艺。
资料来源：公开资料，观研天下整理
二、去胶设备是半导体设备重要的一个分支，拥有较大的发展空间
半导体去胶设备是指在半导体去胶工艺中所涉及到的设备总称，是半导体设备重要的一个分支。半导体设备，作为高科技制造领域的关键一环，涵盖了晶圆制造、封装测试等全流程所需的各种精密仪器。这些设备不仅对芯片的性能和成本产生直接影响，还是推动整个半导体行业技术进步和产业升级的重要基石。
近年来，在下游半导体行业发展带动下，我国半导体设备市场规模整体扩大，并在 2020 年首次成为全球最大的半导体设备市场，销售额增长 39%，达到 187.2亿美元。到2023 年中国大陆半导体设备市场规模达到 366 亿美元，仍然是全球最大的半导体设备市场。而结合全球半导体设备发展趋势、我国半导体设备国产替代以及下游需求旺盛的多重作用，未来几年我国半导体设备行业仍将保持高速增长态势，保守预计2023—2028年，我国半导体设备行业市场规模将稳步提升，保持在15%左右的复合增长率，到2028年，我国半导体设备市场规模将达到655亿美元。可见，去胶设备作为半导体设备重要的一个分支，其拥有较大的发展空间。
数据来源：公开数据，观研天下整理
三、半导体行业发展带动半导体去胶设备发展
半导体去胶设备与半导体产业的繁荣状况紧密相连。近年随着半导体行业发展的带动，半导体去胶设备也随之发展。当今数字经济迅速发展，半导体行业作为现代科技与工业领域的核心基石，对全球经济和社会发展具有深远影响,吸引了越来越多的投资者的关注。在此背景下，半导体去胶设备作为半导体行业的重要一个分支，未来也有着广阔的发展空间。
近年来，由于美国等国家对我国半导体产业限制持续加剧以及终端应用需求呈现周期性疲软态势，导致2022-2023年我国半导体市场规模存在不同程度的下降。根据数据显示，2023年我国半导体市场规模达到1552亿美元。
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四、晶圆产能不断扩充给去胶设备带来广阔市场需求
目前去胶设备主要应用在集成电路中的前道芯片制造领域。据了解，集成电路制造设备通常可分为前道工艺设备（芯片制造）和后道工艺设备（芯片封装测试）两大类。其中，前道芯片制造主要包括六大工艺步骤，分别为：热处理（Thermal Process）、光刻（Photo-lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜沉积（Deposition）、机械抛光（CMP），所对应的专用设备主要包括快速热处理（RTP）/氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀/去胶设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、机械抛光设备等。
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近年来随着下游应用市场需求增加，加上各国贸易的不稳定，全球芯片供需出现失衡，国内晶圆代工企业接连宣布投资建造或规划建设新产线，以扩大晶圆产能，从而带动了半导体去交设备市场需求快速增长。数据显示，截至2023年12月，我国内地12英寸、8英寸和6英寸及以下的硅晶圆制造线共有210条。12英寸晶圆厂45座，规划产能合计238万片，8英寸晶圆厂34座，规划产能合计168万片，6英寸晶圆厂48座，规划产能合计264万片，5/4/3英寸晶圆厂63座，规划产能合计730万片。
2023年我国大陆晶圆制造产能分布
厂商 | 地点 | 晶圆厂 | 工艺制程 | 尺寸 | 规划产能（万片/月） |
中芯国际 | 上海 | 中芯南方SN1 | 14nm FinFET | 12 | 3.5 |
上海 | 中芯上海S1 Fab1 | 0.35um-90nm | 8 | 13.5 | |
上海 | 中芯上海S1 Fab2 | 0.35um-90nm | 8 | — | |
华虹集团 | 上海 | 华力一期Fab5 | 65nm/55nm， 40nmLogic,RF, CIS，HV， eNVM | 12 | 4 |
上海 | 华力二期Fab6 | 28nm/22nmLogic， RF， CIS, eNVM | 12 | 4 | |
上海 | 华虹宏力Fab1 | 1.0 μm-90nm eNVM,Discrete,BCD,Logic/RF,CIS | 8 | 17 | |
上海 | 华虹宏力Fab2 | — | 8 | 17.8 | |
上海 | 华虹宏力Fab3 | — | 8 | — | |
积塔半导体 | 上海 | Fab6 | 55nm特色工艺先导线（一阶段）40/28nm汽车电子芯片生产线(二阶段） | 12 | 5 |
上海 | Fab5 | 0.35-0.11um，模拟、功率器件 | 8 | 8 | |
上海 | Fab3 | 0.5-2.5um BCD,数模混合 | 8 | 3 | |
上海 | Fab2 | 1.0-0.8um BCD, IGBT | 6 | 7 | |
上海 | Fab7 | SiC MOSFET | 6 | 3 | |
鼎泰匠芯 | 上海 | — | 0.18/0.11umMOSFET,GBT,Logic,Analog | 12 | 3 |
台积电 | 上海 | Fab10 | 0.35-0.18μm CMOS | 8 | 12 |
中芯国际 | 北京 | 中芯北京B1 Fab4 | 90nm-55nm | 12 | 6.5 |
中芯北方B2 | 65nm-28nm | 12 | 10 | ||
中芯北方B3 | 65nm-28nm | 12 | — | ||
中芯京城FAB3P1 | 65nm-28nm | 12 | 10 | ||
燕东微 | 北京 | — | 65nm功率器件、显示驱动、电源管理、硅光芯片 | 8 | 5 |
北京 | — | 90nm 以上MOSFET、IGBT、CMOS、BCD、MEMS | 8 | 3 | |
赛微电子 | 北京 | Fab3 | 0.25um-lum MEMS BAW | 8 | 3 |
中芯国际 | 深圳 | 中芯深圳G2 Fab16 | 65nm-28nm | 12 | 4 |
深圳 | 中芯深圳G1 Fab15 | 0.35μum-0.15μum | 8 | 7 | |
方正微 | 深圳 | Fab1 | DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC | 6 | 5 |
深圳 | Fab2 | DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN，SiC | 6 | ||
深爱半导体 | 深圳 | — | DMOS、MOSFET、IGBT,FTD, TVS, GaN, SiC | 6 | 4 |
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五、当前市场呈现多寡头垄断格局，CR5达到为93.5%
当前全球集成电路制造干法去胶设备领域呈现多寡头竞争的发展趋势，行业CR5在2023年超过 90%，比思科、屹唐半导体、泰仕半导体、爱发科、泛林半导体等为主要参与者。其中屹唐半导体凭借 34.60%的市场占有率位居全球第二，确立了在干法去胶设备细分市场中国际领先的行业地位。
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在国内市场上，集成电路制造干法去胶设备领域同样也呈现多寡头竞争态势，多寡头竞争超过90%。有数据显示，2022年在我国干法去胶设备领域，前五大厂商的市场份额合计达到93.5%。这一数据表明，当前我国干法去胶设备领域市场高度集中。目前在我国干法去胶设备领域里，主要有屹唐半导体、中屹唐半导体等。（WW）
